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台积电刘德音:3nm制程进度甚至超预期
来源: | 作者:tpl-c28cb48 | 发布时间: 2021-05-15 | 278 次浏览 | 分享到:

台积电刘德音:3nm制程进度甚至超预期

 

 

台积电董事长刘德音日前在国际固态电路会议 (ISSCC) 线上专题演讲时表示,3nm按计划时程发展,进度甚至较原先预期超前,有信心看到未来节点将会如期推进、量产。 
 
MoneyDJ报道称,刘德音指出,台积电 3nm仍采用FinFET架构,2nm后将转向GAA架构,主要是量产技术考量,可较 FinFET提供更多静电控制。 
 
展望未来,刘德音表示,3D芯片堆叠会是重点,而通过台积电的SoIC(system on IC)、低温键合(bonding)制程,可实现3D芯片堆叠。 
 
此前业内人士称台积电计划在2021年投入超150亿美元推进公司的3nm工艺技术。根据台积电的说法,与5nm工艺相比,3nm工艺可以将晶体管密度提高70%,或提高15%的性能,降低30%的功耗。